ag真人游戏电子元器件发展史1、电子元器件发展史电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二 十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近 代科学技术发展的一个重要标志。第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末 世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很 快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现 了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子 产 品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路 和超大规模集成电路ag九游会，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化 的方向

　　2、发展。由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技 术发展的四个阶段的特性， 所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技 术发展的四个阶段的特点。在 20世 纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。电子元器件的发展历史实际上就是电子工 业的发展历史。 190年6 ，李德福雷斯特发明了真空三极管，用来放大电话的声音电流。此后，人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件，用来作为质量轻、价 廉和寿命长的放大器和电子开关。 194年7 ，点接触型锗晶体管的诞生，在电子器件的发展史上翻开了新的一页。 但是，这种点接触型晶体管在构造上存在着

　　3、接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时， 结型晶体管论就已经提出，但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类 型以后ag九游会，结型晶体管材线 ，具有使用价值的最早的锗合金型晶体管诞生。 195年4 ，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺 杂 技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优 良的 电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规 模、超 大规模集成电路时代。主播形成作为高技术产业代表的半导体工业。由于社会发展的需要，

　　4、电子装置变的越来越复杂， 这就要求了电子装置必须 具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。自 20世纪 50年 代提出集成电路的设想后，由于材料技术、器件技术和电路设计合技术的进步，在20世 纪 60年 代研制成功了第一代集成电路。在半导体发展上。集成电路的出现具有划时代的意义：它的诞生和发展推动了铜芯技术 和计算 机的进步， 使科学研究的各个领域以及工业社会的结构发生了历史性变 革。凭借 卓越的科学技术所发明的集成电路使研究者有了更先进的工具， 进而 产生了许多 更为先进的技术。这些先进的技术有进一步促使更高性能、 更廉价 的集成电路的出现。对电子器件来说，体积越小，

　　5、集成度越高；响应时间越短，计算处理 的速度就越快；传送频率就越高， 传送的信息量就越大。半导体工业和半导体技 术被 称为现代工业的基础，同时也已经发展称为一个相对独立的高科技产业。第一节、电阻器1.1 电阻器的含义 :在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电 阻.1.2 电阻器的英文缩写： R（Resis）tor 及排阻 RN1.3 电阻器在电路符号： R 或 电阻器的常见单位 :千欧姆（ K） , 兆欧姆（ M）1.5 电阻器的单位换算 : 1兆 欧 =10千3 欧=10欧61.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正 比，通过这段导体的电

　　6、流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/。R表1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻 抗匹配等。1.8 电阻器在电路中用 “R”加数字表示，如： R15表 示编号为 15的 电阻器。1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有 3种 ，即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上 ,其允许偏差 则用百分数表示 ,未标偏差值的即为 20%.b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中 ,从左至右第一 ,二位 数表示有效数字 ,第三位表示 10的 倍幂或者用 R表 示 （R表 示 0.如） ：472表 示

　　8、（见图一 ）四色环电阻器（普通电阻 ）标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后 0的个数 （10 的倍幂）允许误差颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑00100棕111011%红221022%橙33103 黄44104绿551050.5%蓝66106 0.25%紫77107 0.1%灰88108白99109 20% +50%金10-15%银10-210%无色20%图 1-1 两位有效数字阻值的色环表示法 如果色环电阻器用五环表示 ,前面三位数字是有效数字 ,第四位是 10的 倍幂 . 第 五环是色环电阻器的误差范围 .（见图二 ） 五色环电阻器（精密电阻）标称值第一位

　　9、有效数字标称值第二位有效数字允许误差的倍幂）颜色第一位有效值第二位有效 值第三位 有效值倍率允许偏差黑000 100棕111 101 1%红222 1022%橙33303 黄444 104绿555 1050.5%蓝666 1060.25紫777 1070.1%灰88808白999 109-20%+50%金10-15%银10-210%图 1-2 三位有效数字阻值的色环表示法标称值第三位有效数字 标称值有效数字后 0 的个数 （10d、SMT精 密电阻的表示法，通常也是用 3位 标示。一般是 2位 数字和 1位 字母 表示，两个数字是有效数字，字母表示 10的 倍幂 ,但是要根据实际情况到精密电

　　13、,再将倍率档旋钮置于适当 的档位,一般 100欧 姆以下电阻器可选 RX1档 ,100欧 姆 -1K欧 姆的电阻器可选 RX10档 ,1K欧 姆-10K欧 姆电阻器可选 RX10档0 ,10K-10欧0K姆 的电阻器可选 RX1K档 ,100欧K 姆以上的电阻器可选 RX10档K .b、测量档位选择确定后 ,对万用表电阻档为进行校 0, 校 0的 方法是 :将万用表两 表笔金属棒短接 ,观察指针有无到 0 的位置 ,如果不在 0位 置,调整调零旋钮表针指 向电阻刻度的 0 位置 .c、接着将万用表 的 两表笔分别和电阻器的两端相接 ,表针应指在相应的阻值刻 度上 ,如果表针不动和指示不稳定或指

　　14、示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明该电阻器已损坏 .d、用数字万用表判定电阻的好坏 ;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档 位 ,一般 200欧 姆以下电阻器可选 200档 ,200-2欧K 姆电阻器可选 2K档 ,2K-20K欧 姆可选 20K档 ,20K-20欧0K姆 的电阻器可选 200K档 ,200K-20欧0M姆 的电阻 器选择 2M欧 姆档.2M-20欧M姆 的电阻器选择 20M档 ,20M欧 姆以上的电阻器选 择 200M档 .第二节 电容器2.1 电容器的含义 :衡量导体储存电荷能力的物理量 .2.2 电容器的英文缩写 :C （capacitor）2.3 电容器在电路中

　　15、的表示符号 : C或 CN排（ 容）2.4 电容器常见的单位 : 毫法（ mF）、微法（ uF）、纳法（ nF）、皮法（ pF）2.5 电容器的单位换算 : 1法 拉 =10毫3 法 =10微6 法=10纳9 法 =101皮2法 ; ;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;2.6 电容的作用 :隔直流 ,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电 ,储能等2.7 电容器的特性 : 电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对 交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 。电容的特 性主要是隔直流通交流 ,通低频阻高频2.8 电容器在电路中一般用 “C”加数字

　　16、表示 .如 C25表 示编号为 25的 电容 .2.9 电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数 标法 3 种。a; 直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来： 如：220MF 表示 220U；F.01U表F 示 0.01U；FR56U表F 示 0.56UF;6表n示8 6800PF.b; 不标单位的数码表示法 .其中用一位到四位数表示有效数字 ,一般为 PF而, 电解 电容其容量则为 UF如. :3表 示 3PF;22表00示 2200PF;0表.05示6 0.056UF;c; 数字表示法 :一般用三为数字表示容量的大小 ,前两位表示有效数字 ,第三位表

　　17、示 10的 倍幂 .如 102表 示 10*102=1000P表F示;22242 *104=0.2UFd: 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电 容器偏差标志符号： +100%-0、-+H100%-10、%-+-R50%-10%、-T+30%-10%、-+Q50%-20%、-+-S80%-20%。-Z2.10 电容的分类 :根据极性可分为有极性电容和无极性电容 .我们常见到的电解 电 容就是有极性的 ,是有正负极之分 .2.11电 容器的主要性能指标是 : 电容器的容量 （即储存电荷的容量 ）,耐压值 （指在 额定温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流

　　19、C1+C2+C3+CN2.14电 容器的好坏测量 a;脱离线路时检测采用万用表 挡，在检测前， 先将电解电容的两根引脚相碰， 便放掉电容内残余的电荷 .当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转， 最后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻， 此阻值愈大愈好，最好应接近无穷大处。 如果漏电电阻只有几十千欧， 说明这一 电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆） ，说明这 一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。b.线路上直接检测 主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障， 而对漏电故障由于受外 电路的影响一般是测不准的。用万用表 挡

　　20、，电路断开后，先放掉残存在电 容器内的电荷。 测量时若表针向右偏转， 说明电解电容内部断路。 如果表针向右 偏转后所指示的阻值很小（接近短路） ，说明电容器严重漏电或已击穿。如果表 针向右偏后无回转， 但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱 开电路后进一步检测。c线路上通电状态时检测 ,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可 以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压， 如果电压很 低或为，则是该电容器已击穿。 对于电解电容的正、负极标志不清楚的， 必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一 次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚

　　21、为正极。第三节 电感器3.1电 感器的英文缩写： L （Inductance） 电路符号：3.2 电感器的国际标准单位是 : H亨（ 利）,mH毫（亨）,uH（微亨） ,nH（纳亨）；3.3 电感器的单位换算是 : 1H=103m 1H06u H109n； H1n H10-3u H=10-6m H=10 -9H3.4 电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频ag真人游戏。3.5 电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。3.6 电感器的分类 :空芯电感和磁芯电感 .磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯 电感等 .主机板中常见的是铜芯绕线 电感在电路中常用 “L”加数字表示，如： L6表 示编号为

　　22、 6 的电感。电感 线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈ag九游会， 直 流 电阻就是导线本身的电阻， 压降很小； 当交流信号通过线圈时， 线圈两端将会产 生自感电动势， 自感电动势的方向与外加电压的方向相反， 阻碍交流的通过， 所 以电感的特性是通直流阻交流， 频率越高， 线圈阻抗越大。电感在电路中可与电 容 组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法， 色标法与电阻类似。 如：棕、黑、 金、金表示 1uH（误差 5%）的电感。3.8 电感的好坏测量 :电感的质量检测包括外观和阻值测量 .首先检测电感的 外表有无完好 ,磁性有无缺损 ,裂缝 ,金属部分有无腐蚀氧化 ,标志有无完

　　23、整清晰 ,接 线有无断裂和拆伤等 .用万用表对电感作初步检测 ,测线圈的直流电阻 ,并与原已 知的正常电阻值进行比较 .如果检测值比正常值显著增大 ,或指针不动 ,可能是电 感器本体断路 .若比正常值小许多 ,可判断电感器本体严重短路 ,线圈的局部短路 需用专用仪器进行检测 .第四节 半导体二极管4.1 英文缩写： D （Diode）电路符号是4.2 半导体二极管的分类分类： a 按材质分：硅二极管和锗二极管；b 按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管， 光电二极管，变容二极管。稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管4.3 半导体二极管在电路中常用 “D”加数字表示，

　　24、如： D5表 示编号为 5的 半导体二极管。4.4 半导体二极管的导通电压是 : a;硅二极管在两极加上电压 ,并且电压大于 0.6V时 才能导通 ,导通后电压保 持在 0.6-0.8之V间 .B;锗二极管在两极加上电压 ,并且电压大于 0.2V时 才能导通 ,导通后电压 保持在 0.2-0.3之V间 .4.5 半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下， 导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。4.6半 导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。4.7 半导体二极管的识别方法： a;目视法判断半导体二极管的极性 :一般在实物的电路图中可以通过眼睛直 接

　　25、看出半导体二极管的正负极 .在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极 ,另外 一端是正极 .b;用万用表 （指针表）判断半导体二极管的极性 :通常选用万用表的欧姆档 （R 100或 R 1K）然, 后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出 ,当 二极管导通 ,测的阻值较小 （一般几十欧姆至几千欧姆之间 ）,这时黑表笔接的是二 极管的正极 ,红表笔接的是二极管的负极 .当测的阻值很大 （一般为几百至几千欧 姆 ）,这时黑表笔接的是二极管的负极 ,红表笔接的是二极管的正极 .c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极， 黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管

　　26、的正向导通阻值， 这与指针 式万用表的表笔接法刚好相反。4.8 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结 ”的结电容能随外加反向电压的 变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话 机 中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号 上，并发射出去。在工作状态， 变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的 内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差： （1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。 （2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送 到对方被对方接收后产生失线、。 出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。4.9 稳压二极管的基本知识 a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基 本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其 它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在 这 3 种故障中，前一种故障表现出电源电压升高； 后 2 种故障表现为电源电压变 低到零伏或输出不稳定。c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N

　　28、4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V4.10 半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为 0.60.8V；锗管的导通电压为 0.20.3V），而工程分析时通常采用的是 0.7V.4.11 半导体二极管的伏安特性曲线： （通过二极管的电流与其两端电压的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。 ）见图三 .图三 硅和锗管的伏安特性曲线 半导体二极管的好坏判别 :用万用表 （指针表 ）R100或 R1K档 测量二极 管的正,反向电阻要

　　29、求在 1K左 右 ,反向电阻应在 100K以 上 .总之 ,正向电阻越小 ,越 好 .反向电阻越大越好 .若正向电阻无穷大 ,说明二极管内部断路 ,若反向电阻为零 , 表明二极管以击穿 ,内部断开或击穿的二极管均不能使用。第五节 半导体三极管5.1 半导体三极管英文缩写： Q/T5.2 半导体三极管在电路中常用 “Q”加数字表示，如： Q17表 示编号为 17的 三 极管。5.3半 导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有 2 个 PN结 ， 并 且具有放大能力的特殊器件。它分 NPN型 和 PNP型 两种类型，这两种类型的 三 极管从工作特性上可互相弥补， 所谓 OTL电 路中的

　　30、对管就是由 PNP型 和 NPN按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为 NPN型 ，锗管多为 PNP型。E发（ 射极 ） C集（ 电极 ）B（基极）NPN型 三极管型配对使用PNP型 三极管5.4 半导体三极管放大的条件 :要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压， 即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压 ,这也是三极管的放大 必须具备的外部条件。5.5半 导体三极管的主要参数a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律 Ie=Ib+由Ic,于基极电流 Ib的 变 化 ，使集电极电流 Ic发 生更大的变化，即基极电流 Ib的 微小变化控制了集电极 电流较大，这就是三极管的

　　31、电流放大原理。即 =Ic/ Ib。 b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。 c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。 5.6半 导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使 用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。a半; 导体三极管的三种基本的放大电路。直 流 通 道静 态I 工 作I 点 交 流 通 道=U E CCR=&CERbI Bb)RR+ b e bIB =UUUBCC(1+ I C+Re)eCCeCUCE=&CCRcR+Rb1b2U-=IE=UB -0.7BRe=U -ICC C微 变 等 效 电 路&Au Rrb

　　32、e(1+b)RLr +(1+b)Rbe L RLrberiRb/rbeRb/(rbe+(1+b)RL)R /erbe1+ro+R r= beSRR /RRCRe /RC1+用 多 级放大电路的中间 途级输入、输出级或缓冲级 高频电路或恒流源电路b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。 注：交流信号从基 极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。 交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。 5.7用 万用表判断半导体三极管的极性和类型 （用指针式万用表 ）.

　　33、 a先; 选量程： R100或 R1K档 位 .b;判别半导体三极管基极： 用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各 电极，观察指针偏转， 若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极 （两 次阻值都小的为 NPN型 管，两次阻值都大的为 PNP型 管），若两次测量阻值 大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。 c;判. 别半导体三极管的 c 极和 e极 ： 确定基极后，对于 NPN管 ，用万用表两表笔接三极管另外两极ag真人游戏，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极 ，红笔接得是 c 极（若是 PNP

　　34、型 管则黑红表笔所接得电极相反）。d; 判别半导体三极管的类型 .如果已知某个半导体三极管的基极 ,可以用红表笔接基极 ,黑表笔分别测量其另 外两个电极引脚 ,如果测得的电阻值很大 ,则该三极管是 NPN型 半导体三极管 ,如 果 测量的电阻值都很小 ,则该三极管是 PNP型 半导体三极管 .5.8 现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个 是 b、 c、e？三极管的 b极 很容易测出来，但怎么断定哪个是 c 哪个是 e？ a; 这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管 hFE插 孔的指针表，先测 出 b 极后，将三极管随意插到插孔中去 （当然 b极 是可以插准确的

　　35、） ，测一下 hFE 值， b;然后再将管子倒过来再测一遍， 测得 hFE值 比较大的一次，各管脚插入的位置 是正确的。第二种方法：对无 hFE测 量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔 的 ,可以用这种方法：对 NPN管 ，先测出 b极 （管子是 NPN还 是 PNP以 及其 b 脚都很容易测出，是吧？） ，将表置于 R1k 档，将红表笔接假设的 e极 （注 意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚） ，黑表笔接假设的 c 极，同时用手指捏 住表笔尖及这个管脚， 将管子拿起来，用你的舌尖舔一下 b 极，看表头指针应有 一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏 转会小些，

　　36、差别是很明显的。由此就可判定管子的 c、e 极。对 PNP管 ，要将黑 表笔接假设的 e极 （手不要碰到笔尖或管脚） ，红表笔接假设的 c 极，同时用手 指捏住表笔尖及这个管脚， 然后用舌尖舔一下 b极 ，如果各表笔接得正确， 表头 指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次， 比较读数后才能最 后 判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还 可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。c;第三种方法：先判定管子的 NPN或 PNP类 型及其 b 极后，将表置于 R10k 档，对 NPN管 ，黑表笔接 e极 ，红表笔接 c 极时，表针可能会有一定偏转， 对 PNP管 ，黑表笔接 c 极ag真人游戏，红表笔接 e极 时，表针可能会有一定的偏转，反过 来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的 c、e 极。不过对于高耐压的管子， 这个方法就不适用了。对于常见的进口型号的大功率塑封管，其 c极 基本都是在中间（我还没见过 b在中间的）。中、小功率管有的 b极 可能在中间。比如常用的 901三4 极管及其 系 列的型号三极管、 2SC18、152N54、012N555等1三 极管，其 b极 有的在 就 中间。当然它们也有 c极 在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小 功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下。

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